В Томске создали революционно новый нанотранзистор

17 Ноября 2011
В Томске создали революционно новый нанотранзистор

Ученые Томского университета систем управления и радиоэлектроники снова отличились.

На этот раз они  разработали первый в мире нанотранзистор, применяемый в СВЧ-электронике, при производстве которого используются не драгоценные металлы, а соединение меди с германием.

-Это  что значительно снижает себестоимость устройства и повысит их технические характеристики,- сообщил аспирант вуза Евгений Ерофеев. - В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В этом и новизна. Мы подали заявку на изобретение, получили положительное решение, была экспертиза, которая подтвердила, что мировых аналогов нашего нанотранзистора нет. Так же он уточнил, что проект реализуется в научно-образовательном центре ТУСУР "Нанотехнологии. По информации пресс-службы вуза, испытания нанотранзистора прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США. Как сообщает информационный портал «НовоТомск», после получения патента планируется сотрудничать и внедрять готовую технологию в производство с компанией "Микран", которая будет создавать в томской особой экономической зоне производство базовых станций 4G вместе с Nokia Siemens.

Наверх