Ученые ТУСУРа создали первый в Томске гетероструктурный транзистор, соответствующий мировым стандартам

Группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУРа завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия.

Транзистор на базе арсенида галлия изготовлен по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, что отвечает мировым стандартам. Перед группой технологов-разработчиков стояла очень сложная задача, ведь подобного рода технологические операции подробно в литературе не описываются. Все фирмы-производители строго хранят секреты производства не только потому, что это их ноу-хау, но и потому, что существуют ограничения на государственном уровне. Так, развитые страны отказываются продавать не только технологию производства подобных гетероструктурных транзисторов, но часто и сами устройства, поскольку они применяются и в военных целях.